PIN光电二极管|雪崩光电二极管

PIN二极管

PIN光电二极管是一种光电探测器，它能将光信号转换成电信号。
这项技术是在50年代末发明的。这种二极管有三个区域。

有一个p区域，一个本征区域和一个n区域。p区和n区比通常的p区和n区掺杂较重pn二极管。本征区域的宽度应该大于法线的空间电荷宽度pn结。

的PIN光敏二极管操作与应用反向偏置电压当施加反向偏置时，空间电荷区域必须完全覆盖本征区域。光子吸收在空间电荷区产生电子空穴对。开关速度的频率响应光电二极管是与生命时间成反比的。

少数载流子寿命短可以提高开关速度。对于响应速度很重要的光电探测器应用，损耗区宽度应尽可能大，以减小少子寿命，这样开关速度也会增加。这是可以实现的PIN光电二极管随着本征区域的插入，空间电荷宽度增大。下图是一个正常的PIN光电二极管。

雪崩光电二极管

雪崩光电二极管(不要与雪崩二极管)是一种能将信号转换为电信号的光电探测器，是开发雪崩的开创性研究工作二极管主要是在60年代完成的。
雪崩光电二极管结构配置与PIN光电二极管非常相似。一个PIN光电二极管由三个区域组成

1. p区,
2. 内在的地区,
3. n-region。

不同之处在于反向偏置非常大，会引起碰撞电离。对于硅作为sc材料，a二极管需要100到200伏电压。首先利用耗尽区光子吸收产生电子-空穴对。它们通过碰撞电离产生更多的电子空穴对。这些被迅速扫出耗尽区，也就是说，通过时间非常少。